光刻时曝光与显影之间的关系，详细一点，最好有图

1. 光刻时曝光与显影之间的关系，详细一点，最好有图

1、曝光过度会导致显影不净。
2、曝光能量不足会导致显影过度。
3、实际曝光能量需根据干膜种类、厚度或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能量150-500mJ/cm2，具体以曝光尺为准；线路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9 --13格。

2. 光刻时曝光与显影之间的关系是什么？

1、曝光过度会导致显影不净。
2、曝光能量不足会导致显影过度。
3、实际曝光能量需根据干膜种类、厚度或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能量150-500mJ/cm2，具体以曝光尺为准；线路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9 --13格。

3. 显影后光刻胶的厚度严重偏小，是曝光不足还是过曝光

曝光不足。。。。。

4. 光刻胶被掩膜版黑色遮挡的部分会被显影液刻蚀吗

掩膜的设计要反过来~ 另外要考虑刻蚀展宽的方向也不同了~

5. 光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

光刻工艺主要步骤
1. 基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，

2. 涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。

3. 前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。

4. 对准和曝光(A＆E)
  保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。

5. 显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。

6. 后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。 

7. 刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。

8. 去除光刻胶
刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。

6. 光刻中什么显影液可以去掉氧化铝

D-7 显影液 （底片、相纸通用）
温水 30~45℃ 750ml
米吐尔 3g
无水亚硫酸钠 45g
对苯二酚（几奴尼） 12g
无水碳酸钠 67.5g
溴化钾 2g
D-76型 粒显影液 （底片用）
温水 52℃ 750ml
米吐尔 2g
无水亚硫酸钠 100g
对苯二酚（几奴尼） 5g
硼砂 2g
D-19型 高反差强力显影液 （全息用）
温水 50℃ 800ml
米吐尔 2g
无水亚硫酸钠 90g
对苯二酚（几奴尼） 8g
无水碳酸钠 48g
溴化钾 5g
注：将药剂依次溶于温水后，加水至1000ml。

7. 在微电子厂上班。在光刻车间工作，里面有丙酮 ，酒精，显影液。光刻

胎儿前三个月是很脆弱的，要特别小心，照你说的情况建议调整工作岗位，改善工作环境。因为丙酮，显影液都是有毒物质，像丙酮是一种有机溶剂，容易挥发到空气中，人长期呼入丙酮会引起呼吸系统的疾病，对人的神经系统也有影响，使人容易情绪激动，皮肤长期接触可能会引发皮炎，总之长期接触会引起慢性中毒。另外显影液是一些强酸和有机苯的混合物，有一定的腐蚀性，对人的身体也是不利的。

8. 光刻胶显影后后，能放置多长时间

光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。