国产3nm芯片刻蚀机进入量产，美企曾多次阻挠

1. 国产3nm芯片刻蚀机进入量产，美企曾多次阻挠

芯片制造分为设计、制造和封装这三个环节，需要原材料，软件和硬件等多方面的支持，我们国家在光刻机领域没有掌握核心技术，但是中微已经成功研制出3nm刻蚀机，并且已经进入量产阶段，这是我们国家一个重大突破！ 
     
  光刻机就是通过显影技术将线路图复制到硅片上，而刻蚀机是在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。光刻机就像把光当作画笔进行作画，刻蚀机则是雕刻刀，这两种设备都直接决定了芯片的工艺。 
  
  中微半导体突破的3nm刻蚀机属于世界先进水平，这让一些美国企业大为不满，多次向中微发起商业机密和专利侵权的诉讼，但是中微早就做足准备，最后结果都取得胜利或者达成和解，但在深入调查中，反而发现美企使用中微的专利技术造成侵权。 
     
  3nm刻蚀机此次为何意义重大，就是因为已经落实到量产，直接跻身于世界一线，提高了我们国家在芯片领域的话语权。在几乎相同的时间，美国IBM发布了2nm芯片制造技术，但是实现量产还需要几年时间，台积电也在研发3nm技术，最终谁的技术更快实现还是未知数。 
  
  当然，我们也应该正视国家技术不足的方面，我们的芯片制程和国际先进水平差距明显，但我们并不是全无基础，国内厂商迎来机会，现在正是国产替代的新机遇，半导体行业突破指日可待。

2. 中微为何这么强？3nm刻蚀机助力国产芯，意义力压IBM首个2nm芯片

 芯片已经成了近来的热点，并且不断向更小的制程迈进。 目前，5nm工艺已经成熟量产，台积电、三星还在研发3nm工艺。前段时间，三星还全球首发了一款3nm存储芯片。 近日，芯片行业又迎来了两大重要突破。那么，究竟哪个意义更大呢？
      这两天，老牌 科技 巨头IBM公司发布了全球首个2nm芯片的消息突然传来，一下成为了热议话题。不过令人纳闷的是，我们听到最多的， 芯片制造方面全球领先的不是台积电和三星吗，怎么突然是IBM发布了全球首个2nm芯片工艺技术？ 
   IBM是全球最大的信息技术和业务解决方案公司，我国华为曾在1998年与IBM达成了为期10年、学费高达40亿元人民币的咨询项目，因此受益匪浅。  IBM还曾是一家主要的芯片制造商， 但在 2014年退出代工业务，将其晶圆厂出售给格芯。  
       IBM在半导体发展过程中也曾推出多项突破性技术，目前还保留着一个芯片制造研究中心。 这次宣布的2nm芯片制造技术就是这个研究中心，据说可以容纳500亿个晶体管， 相比于7nm芯片， 预计将提升45%的性能、降低75%的能耗。
    然而，我们必须明确一个事实，研发出来了并不代表能够量产。从制造工艺上看，IBM实现了跨越到2nm的进步，但其已没有芯片制造能力 ，现已将其大量芯片生产外包给三星电子，并且现在台积电和三星都还在研发3nm工艺芯片制造技术。
      上边说的2nm芯片消息是国外的公司，国内芯片行业也传来了重大好消息。 我国的中微半导体公司成功 3nm 刻蚀机，并且 原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估 均已经完成，更值得一提的是， 3nm 刻蚀机 已经进入到量产阶段。  
    中微半导体是由归国博士尹志尧带领团队创办的，他可是也不得的人物，曾获得过400 多项各国专利，被评价为“硅谷最有成就的华人之一”。  中微研发的刻蚀机已经处于全球领先水平， 之前的5nm 刻蚀机就已经应用到台积电产线。
        这次中微突 破了3nm刻蚀机，再次证明了中国企业的技术实力。中微的很多刻蚀设备已经国际一线的芯片制造生产线及先进封装生产线上应用，   这次的3nm刻蚀机能够应用到更先进的高端芯片制造产业链中，将进一步提高我国的芯片话语权。  
      IBM发布了2nm芯片制造技术，中微突破了3nm芯片刻蚀机，这两个都是芯片行业的重大技术突破，都将促进芯片行业的未来发展，那么哪个意义更大呢？
   首先，从全球的角度来分析。IBM这个2nm只是突破了芯片制造技术，并不能实现量产，还是需要依赖代工厂。 而IBM 与三星和英特尔签署了联合技术开发协议，可以授权使用其芯片制造技术，英特尔7nm还没突破，要代工最大可能是三星。  
       现在三星还在进行 3nm技术攻坚，即 使联合IBM，实现2nm量产也需要几年时间。看似现在领先于台积电，但台积电 也一直在研发，谁能先量产还不一定，因此IBM的2nm意义并不十分重大。 而中微的3nm刻蚀机已可以量产，等台积电、三星3nm制造技术突破，就可以直接应用到产线，相比之下中微的突破意义更大些！ 
   其次，从国内的角度来分析。 IBM的 2nm芯片制造技术对我们更没有意义，现在我国最先进的中芯国际还在进行7nm量产攻坚阶段。   而中微半导体作为中国企业，率先突破的3nm刻蚀机能够跻身国际一线，大大提高了我国在芯片行业的地位！  
      中微半导体的技术全球领先，再次证明中国人是有实力突破芯片相关技术的，随着发展中国必将出现更多的中微类芯片先进企业，到那时中国芯必将摆脱国外限制，针对华为的“芯片禁令”将会毫无竟义，中国芯片产业将会腾飞！

3. 好消息：中企5nm刻蚀机已获批量订单，全球仅3家企业掌握该技术

 据外媒此前报道，作为全球最大的芯片消费市场， 截至2019年中国芯片市场规模已经增长到3104亿美元， 与10年前相比扩大了140%。而近些年来，中国开始意识到芯片自给的重要性，因此芯片及其生产技术已经成为中国提升本国 科技 实力的重要领域之一。因此， 在近期中国批准了美以2大芯片巨头合并之后，中国芯片及其生产设备企业也在不断提高自身竞争力。 
   
     
    继中国首条14nm芯片生产线正式投产及长江存储128层3D NAND闪存芯片投产发布之后，中国近期在芯片生产设备方面又传来一大好消息。 据观察者网周四（4月23日）报道，在 去年年底宣布其5nm蚀刻机获得台积电认可之后，中微公司近期发布的2019年财报显示，该企业5nm蚀刻设备已经获得批量订单。 
   据悉， 5nm蚀刻机目前是集成电路制造领域中最为先进的工艺，除了中微公司之外，目前只有三星和台积电声称掌握了该工艺，也就是说目前全球仅3家企业拥有这一技术 。不过，目前只有台积电能量产5nm蚀刻机，并将于今年第二季度扩大其产量；而 三星则预计要到今年6月底才能完成5nm产线的建设，并且预计最早将于今年年底进行量产。 
   
     
    一直以来，全球半导体设备市场都是有国外厂商垄断。 数据显示，2018年全球前5大厂商在全球的市场份额已经超过65%。而与长江存储相似，中微公司作为半导体设备市场的追赶者，要在短期内打破外国的垄断，恐怕还有难度。不过， 如今中微公司在全球蚀刻设备市场已经占有一席之地，这无疑有助于提高我国芯片生产设备的供应安全。 
   
     
   中微公司的董事长尹志尧此前表示，在一些最高端的刻蚀应用中，该公司的刻蚀机还有的地方，因此还需要进行进一步的技术创新和设备升级，该公司已经在开发新一代的蚀刻机。 随着中微公司技术持续升级，未来中企在芯片生产设备的技术方面与外国厂商的差距有望进一步缩小。 

4. 60岁创办中微半导体！自研出首台5nm刻蚀机，确立了技术地位领先

 近两年，我国半导体行业的发展速度很快，但和美国等 科技 巨头相比较，技术仍是落后别人，但是国内产生所自研的技术、设备都能达到世界领先水平。最成功的案例莫过于蚀刻机设备，国内芯片企业所自研的蚀刻机已打破海外的技术垄断。
      很多人都不清楚，蚀刻机的重要性并不低于光刻机，两者皆是生产高端芯片的重点设备。
   但是，我国的光刻机设备一直处于十分落后的状态，很难让国内半导体厂商生产出高端芯片工艺。而蚀刻机在我国却是特别先进，用于下一代新高端工艺芯片生产，也是绰绰有余。
      据了解，中微半导体的所自研的高精度蚀刻机已达到5nm，是国内半导体高端设备的顶尖存在，更是国际半导体行不可忽视的力量。在全球半导体设备企业满意度调查中，中微半导体公司排进世界第三，这也说明很多客户对于中微半导体产品是非常认可的。
      要知道，中微半导体之所可以取得今日的巨大成就，完全离不开中微半导体创始人尹志尧，尹志尧拥有200多项各国专利和86项美国专利，而在美国硅谷也是具有一定影响力的华人之一。60岁时的尹志尧身披荣誉，决定携带团队回国创业。
      尹志尧携团队回国，创办了中微半导体公司，并且展开对蚀刻机设备的研发，仅仅几年时间，中微半导体企业便自研出第一代介质刻蚀机，该蚀刻机采用单独操作双反台，该设备相比其它蚀刻机效率提升了30％，中微半导体也在市场上获得了好名声。
   随着中微半导体的创新技术不断产出，在一段时间当中，中微半导体毅然遭到了美国技术的封锁，直到2015年期间，美国才放弃对中微半导体公司的技术封锁。
       中微半导体成立的第11年，中微半导体再次自研出首台最先进的5nm刻蚀机，自此，中国的5nm蚀刻机在全球确立了5nm刻蚀机技术的地位领先。 
   现如今的中微半导体5nm蚀刻机设备已和台积电等芯片代工企业采购，目前，对于国内的芯片产业链来看，中微半导体已经可以长久的供应技术维持。
    对于中微半导体公司的未来发展你怎么认为？ 

5. 好消息不止光刻技术，国产刻蚀机迎来新突破，核心技术完全自研

  受中兴、华为事件的刺痛下，更多的研发力量、资金、人才涌入中国芯片行业，国产芯片的前行脚步加快。 
     日前，   我国便在光刻机领域传来喜讯，   中科院官网刊文表示，上海光机所在计算光刻技术领域——光学邻近效应修正技术上，取得重要进展。  
       好消息不止光刻机，国产刻蚀机也迎来新突破。 
     6月15日，中微半导体首台8英寸甚高频去耦合反应离子刻蚀设备Primo AD-RIE 200顺利付运客户生产线。该设备由中微半导体自主研发，可以进行8英寸晶圆的加工。  
    这显示出我国在刻蚀机领域的又一重大进步。 
    同光刻机一样，刻蚀机也是芯片加工过程中的关键设备，也是我国最具优势的半导体设备。在诸多半导体设备中，刻蚀机是我国替代占比最高的设备之一。 
    中微半导体、北方华创、屹唐半导体等都是我国领先的刻蚀机企业；其中，中微半导体表现最为强势。 
     目前，中微半导体的工艺节点已经达到5nm，其刻蚀设备也成功进入台积电5nm生产线。由此可见，在技术实力上中微半导体已经达到全球领先水准。  
       中微半导体在刻蚀机领域的优异成绩，成功打破了泛林半导体、应用材料与日本东京电子这三家企业垄断全球刻蚀机市场的格局，填补了我国在这一领域的空白。 
    面对快速崛起的中微半导体，美国商务部在2015年解除了对中国等离子体刻蚀设备的出口管制，让美国企业能够冲击中微半导体的行业地位。 
       不过，显然中微半导体并没有因此退缩。 
    从2016年到2019年，中微半导体一直在加大研发投入。2019年，公司研发投入占收入的比重高达28.3%，可以看出公司对研发的重视。 
    在高研发投入之下，中微半导体取得了诸多优异成绩，公司客户结构不断丰富，进一步抢占着全球刻蚀机市场。 
       如今，台积电、中芯国际、海力士、格罗方德等全球芯片领先企业，都已经成为中微半导体刻蚀设备的客户。这无疑是对中微半导体实力的最大肯定。 
    虽然，当前我国芯片产业还有诸多不足，但是在中科院这样的科研机构、中微半导体等半导体企业的共同努力下，中国芯片产业的国产替代率将进一步上升，最终实现国产芯片自主可控。 
    文/BU 审/球子