中国目前光刻机处于怎样的水平？

1. 中国目前光刻机处于怎样的水平？

按照高端、中端、低端三个档次来划分的话，中国目前是属于第三档，正在努力的向第二档迈进。



高端光刻机市场被ASML垄断高端光刻机的市场目前只有ASML一家，也算是应了那一句话“无敌是多么，多么寂寞”。有朋友习惯把ASML生产的高端光刻机叫“万国牌光刻机”，主要是因为光刻机并不算ASML自己独立生产完成的，95%的零件都是从其他国家采购的，但是这依旧无法动摇ASML在高端光刻机市场的地位。目前ASML的主流产品是7nm的光刻机，5nm的光刻机据说已经研发完成，正在准备量产。一旦这些5nm的光刻机开始售卖，到时候对手机芯片来说将会是又一场革命。



中端光刻机市场ASML、尼康、佳能相互竞争其实说竞争有点过了，按照目前的情况来看是ASML占据大优势，尼康和佳能陪跑。日本的尼康和佳能其实在十年前还是和ASML同等水平，但是由于方向选择错误，进而在光刻机进程中逐渐落败，高端光刻机市场也从之前的三足鼎立变成了现在asml一家独大。由于尼康和佳能在高端光刻机市场毫无优势，所以两家公司已经在光刻机研发方面投入越来越小。佳能已经放弃了光刻机的生产，尼康也只是保留了小部分的产能；可能在不久的未来，两家公司的中端光刻机也没有任何市场了。



低端光刻机市场上海微电子非常有竞争力虽说中国的光刻机在中高端都没有像样的产品，但是在低端光刻机市场上表现十分亮眼。在2018年上海微电子出货光刻机50-60台，在2019年出货量也达到了60台左右，这个成绩还是十分喜人的。目前上海微电子出货的最先进的光刻机是90nm的，还是离中端光刻机有一定距离。同时我们需要注意的是上海微电子性质其实和ASML公司有一点类似，他们都更像是组装商。比如上海微电子生产的光刻机中的光栅元件等还是来自于进口，并没有实现国产化，依旧有着被人卡脖子的风险。



由于早些年国内对光刻机这块并不算重视，导致中国光刻机的起步晚、资金投入少、人才也相对不足，这些都是需要解决的问题。除非由国家牵头并且进行人才资源的相关倾斜，否则国产光刻机最多也就能达到中端水平，基本上不具备追赶上ASML公司的可能性。

2. 中国光刻机处于什么水平

1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术？
官网显示，目前最先进的光刻机是600系列，光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm。然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺制作的芯片即将上市。不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距还很大，虽然起步晚，但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。
第二，国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况？
答案是否定的，要知道华为缺芯是美国的阻碍，国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然ASML也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机，但是没有任何零件可以避开美国的核心技术，所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。
做一个优秀的光刻机，要做很多艰苦的工作，不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平，还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远！这些精密仪器的背后，也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累，也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难，不再受其他国家的限制。

3. 中国光刻机水平怎么样？

我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平。
但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的。对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法实现，毕竟我国在光刻机这一步起步要远远晚于国外。并且很多技术都已经被国外垄断，我国只能够自主进行设计，期待有一天能够实现弯道超车。
我国芯片水平难以前进，这与人才有关。我国芯片水平局限于当前，这个标准与人才有关。我国无法培养出相关方面的人才，毕竟在这一领域内，我国还无法和西方进行比较。尤其是在人才方面根本无法和西方进行对比。这也导致我们没有优秀的工程师，只能够请国外的高薪工程师。但是国外请来的高薪工程师对技术把关非常严格，一般情况下是不会将技术透露给我国工程师，这也导致我国芯片水平局限于当前尴尬的地步。
第二点便是资金不够。这里所说的资金不够，并不是所说的投资不够，而是光刻机芯片这一行业的利润不够。因为我国目前市场上的芯片都是由外国制造的，国产芯片在我国市场根本没有任何竞争空间。这也导致了很多科技公司不愿意往芯片这个方面发展，这也是我国芯片落后于西方国家的其中一个原因。
第三点便是没有自主设计专利。目前国际上的芯片设计专利都已经被国外的光刻机公司垄断，我国能够申请的专利少之又少。基本上芯片设计的所有方面的专利都已经申请完了，剩下的专利技术对于芯片提升来说用处不大。所以归根结底以上三点便是我国芯片落后于西方国家的根本原因。

4. 中国光刻机现在达到了什么水平？

中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。
这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。

高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。

5. 中国光刻机技术如何了啊？

中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。
这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。

高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。

6. 中国最先进光刻机水平如何？

我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平。
但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的。对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法实现，毕竟我国在光刻机这一步起步要远远晚于国外。并且很多技术都已经被国外垄断，我国只能够自主进行设计，期待有一天能够实现弯道超车。
我国芯片水平难以前进，这与人才有关。我国芯片水平局限于当前，这个标准与人才有关。我国无法培养出相关方面的人才，毕竟在这一领域内，我国还无法和西方进行比较。尤其是在人才方面根本无法和西方进行对比。这也导致我们没有优秀的工程师，只能够请国外的高薪工程师。但是国外请来的高薪工程师对技术把关非常严格，一般情况下是不会将技术透露给我国工程师，这也导致我国芯片水平局限于当前尴尬的地步。
第二点便是资金不够。这里所说的资金不够，并不是所说的投资不够，而是光刻机芯片这一行业的利润不够。因为我国目前市场上的芯片都是由外国制造的，国产芯片在我国市场根本没有任何竞争空间。这也导致了很多科技公司不愿意往芯片这个方面发展，这也是我国芯片落后于西方国家的其中一个原因。
第三点便是没有自主设计专利。目前国际上的芯片设计专利都已经被国外的光刻机公司垄断，我国能够申请的专利少之又少。基本上芯片设计的所有方面的专利都已经申请完了，剩下的专利技术对于芯片提升来说用处不大。所以归根结底以上三点便是我国芯片落后于西方国家的根本原因。

7. 中国现在能生产高端的光刻机 吗？

比造原子弹还难？中国能造出高端光刻机吗？（一）

8. 中国有自己的光刻机吗？

为何我国始终没有自己的“光刻机”？对比之下才发现差距