1. 优派克与英飞凌品牌是什么关系
优派克(EUPEC)是专门做大功率开关元件IGBT的,被英飞凌收购了。英飞凌就是个集团公司,产品很多,什么都做。但是EUPEC得品牌还是保留着,就像大众收购了布加迪,但布加迪还是布加迪。
2. SIEMENS(西门子)的IGBT已经被EUPEC(欧派克)收购了?
EUPEC(欧洲电力电子公司的缩写)现已成为西门子的全资子公司(原为SIEMENS与AEG的合资公司),产品除标准系列外,更侧重于大功率IGBT、SCR、GTO等。1999年西门子集团为了便于电子零件集团进一步发展,把电子零件的两大部分主动元件(半导体)和被动元件(电容、磁芯等)分别独立出来,形成两家股票公开上市公司。
西门子半导体集团启用"Infineon"(英飞凌)商标;被动元件集团则启用“eupec”商标。今后西门子的IGBT模块将统一使用eupec商标,外加德国的Infineon商标。电解电容等被动元件将由“S+M”商标逐步过渡到全部用“epcos”商标。原西门子电力电子器件生产工厂、产品质量均没有改变,仅仅是商标发生了改变。
3. 德国西门子和英飞凌是什么关系?
英飞凌市场公司 总部座落于慕尼黑的英飞凌科技公司,她的前身系西门子半导体部门,现独立上市.为全球前三大半导体厂商之一。主要提供半导体产品与系统解决方案,主要应用于汽车及工业电子通讯产品、有线与无线通讯市场、安全解决方案。英飞凌业务遍布全球。英飞凌在中国的业务领域涉及:研究与设计;市场与销售,以及生产等各领域,在中国总部设在上海市,在无锡设有生产基地,并在北京,上海,深圳设有分公司。
infineon的IGBT单管在中国的电磁炉应用占有80%的市场份额. EUPEC(优派克)为infineon(英飞凌)全资子公司,其生产的IGBT模块的芯片均为infineon生产.
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4. 如何正确读懂英飞凌的IGBT
模块吗?
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型
二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率(B、C、F等)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率
5. 英飞凌igbt型号最后一个数字是什么意思
英飞凌IGBT命名规则
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:
Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=25°C的标称,敬请广大用户注意!
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型
二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率(B、C、F等)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率
6. 富士、英飞凌IGBT哪个好
英飞凌IGBT命名规则 一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统: Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=25°C的标称,敬请广大用户注意! BSM100GB120DN2K BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
7. eUPeC是什么电子元器件
eupec 是生产厂家 欧派克的名称,如Mitsubishi 是三菱,Panasonic 是松下。
这个零件是 IGBT,绝缘栅双极型晶体管,用于电磁炉调节功率,或变频空调,或变频器等多种需要调节功率的场景。
8. diode是infineon吗
英飞凌IGBT命名规则 一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统: Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=吧0°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=二5°C的标称,敬请广大用户注意! BSM一00GB一二0DN二K BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块 BYM--------------二极管模块 一00-----------Tc=吧0°C时的额定电流 GA-------- 一单元模块 GB----------两单元模块(半桥模块) GD----------六单元模块 GT----------三单元模块 GP----------七单元模块(功率集成模块) GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极) GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极) 一二0-------额定电压×一0 DL------低饱和压降 DN二----高频型 DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降 BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)一00%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名. FF四00R一二KE三 FZ------------ 一单元模块 FF--------------两单元模块(半桥模块) FP--------------七单元模块(功率集成模块) FD/DF------------斩波模块 F四---------------四单元模块 FS---------------六单元模块 DD---------------二极管模块 四00-------------Tc=吧0°C时的额定电流 R------------逆导型 S-------------快速二极管 一二-----------额定电压×一00 KF---------高频型(主要在大模块上使用) KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用) KS--------短拖尾高频型 KE--------低饱和压降 KT--------低饱和压降高频型 二 Simens/EUPEC SCR 命名系统: T 9三0 N 一吧 T M C T----------------------晶闸管 D----------------------二极管 9三0-----------------平均电流 0-----------------标准陶瓷圆盘封装 一-----------------大功率圆盘 四-----------------厚一9mm 陆-----------------厚三5mm 漆-----------------厚0吧mm 吧-----------------厚一四mm 9-----------------厚二陆mm 三-----------------光触发型 N-----------------相控器件 F---------------居中门极型快速晶闸管 S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管 一吧 ----------耐压×一00 B--------引线型 C-----------------焊针型 E-----------------平板式 T-----------------圆盘式 M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间) C ----关断电压斜率(B、C、F等) TT 四三0 N 二二 K O F TT ----------------------双晶闸管结构 DD----------------------双二极管结构 TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管 四三0-------------------平均电流 N------------------相控器件 F-------------------居中门极型快速晶闸管 S-------------------阴极交错式快速晶闸管 二二--------------耐压×一00 K-----------模块 O---------关断时间 F -----断电压斜