光刻胶的分类

1. 光刻胶的分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力（Surface Tension），使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

2. 光刻胶的分类

光刻胶作为半导体制造过程中必不可少的材料，主要作用是在光的照射下，其中的感光成分发生化学变化，从而实现将掩膜版上的图形转移到硅片等表面上的目的。光刻胶主要组分有成膜树脂、感光成分、微量添加剂和溶剂，其中成膜树脂用于提供机械性能和抗刻蚀能力；感光组分在光照下发生化学变化，引起溶解速率的改变；微量添加剂包括染料、增粘剂等，用以改善光刻胶性能；溶剂用于溶解各组分，使之均匀混合。【摘要】
光刻胶的分类【提问】
光刻胶作为半导体制造过程中必不可少的材料，主要作用是在光的照射下，其中的感光成分发生化学变化，从而实现将掩膜版上的图形转移到硅片等表面上的目的。光刻胶主要组分有成膜树脂、感光成分、微量添加剂和溶剂，其中成膜树脂用于提供机械性能和抗刻蚀能力；感光组分在光照下发生化学变化，引起溶解速率的改变；微量添加剂包括染料、增粘剂等，用以改善光刻胶性能；溶剂用于溶解各组分，使之均匀混合。【回答】
光刻胶按照感光波长可分为紫外、深紫外、极紫外、电子束、离子束以及X射线类光刻胶，目前常用的光刻胶有紫外、深紫外光刻胶，极紫外光刻胶将在10nm及以下【回答】

3. 光刻胶的分类

原发布者:xuhongzhuo
````4.光刻胶光刻胶主要由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）、溶剂（Solvent）及添加剂（Additive）等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂（Binder），感光剂是一种光活性（Photoactivity）极强的化合物，它在光刻胶内的含量与树脂相当，两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存，以便于使用。4.1光刻胶的分类⑴负胶1.特点·曝光部分会产生交联（CrossLinking），使其结构加强而不溶于现像液；·而未曝光部分溶于现像液；·经曝光、现像时，会有膨润现像，导致图形转移不良，故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。2.分类（按感光性树脂的化学结构分类）常用的负胶主要有以下两类：·聚肉桂酸酯类光刻胶这类光刻胶的特点，是在感光性树脂分子的侧链上带有肉桂酸基感光性官能团。如聚乙烯醇肉桂酸酯（KPR胶）、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯（OSR胶）等。·聚烃类—双叠氮类光刻胶这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂（主要是环化橡胶）、双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。3.感光机理1肉桂酸酯类光刻胶KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下：在紫外线作用下，它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭－炭双键发生二聚反应，引起聚合物分子间的交联，转变为不溶于现像液的物质。KPR胶的光化学交联反应式如下：

4. 什么是光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。[1]光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

目的
硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像！技术源头，古老的相机！

（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；

（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类
光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型
采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型
采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。

光交联型
采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。

在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性。

含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，硅烷，含Si的丙烯酸树脂等。

5. 光刻胶是什么材料 起什么作用

材料：由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
作用：在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。

光刻胶
在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）。
深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。
以上内容参考：百度百科——光刻胶

6. 光刻胶是什么材料

   光刻胶是一种有机化合物，被紫外光曝光后在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。储存时间短保质期短暂，有效期仅90天，粘附性，抗蚀性，耐热稳定性、抗刻蚀能力，具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

7. 光刻胶是什么材料起什么作用

光刻胶是一种具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝光图形的介质。光刻胶的英文名是resist，也翻译成resist、photoresist等。光致抗蚀剂的功能是作为抗蚀刻层保护衬底表面。光致抗蚀剂只是一种图像，因为它在外观上是以胶状液体出现的。
光致抗蚀剂通常以薄膜的形式均匀地涂覆在衬底的表面上。当受到紫外光或电子束照射时，光致抗蚀剂材料本身的特性会发生变化。用显影剂显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶会残留在基底表面，从而将设计好的微纳结构转移到光刻胶上。后续的刻蚀、沉积等工艺可以进一步将这种图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后用光刻胶去除剂去除光刻胶。

8. 光刻胶是什么材料

近些年来很多人都在考虑一些新鲜物品方面的事情，其实新的物品出现，有时也就未必属于很好的事情，往往有些情况唯有是一次性办理好，才可以让以后的问题发生概率得到降低，而在近期，光是高科技的物品，就足够让一些人调查一段时间了，那么光刻胶是什么材料？
  
  1、 光刻胶是一种有机化合物，被紫外光曝光后在显影溶液中的溶解度会发生变化。
 
  2、 硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。
 
  3、 储存时间短保质期短暂，有效期仅90天，粘附性，抗蚀性，耐热稳定性、抗刻蚀能力，具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
 
 以上就是对于光刻胶是什么材料的全部内容。