哪个牌子的内存条在用国产颗粒？

1. 哪个牌子的内存条在用国产颗粒？

1、有很多品牌使用了国产的长鑫内存颗粒，如光威、金泰克、玖合、金百达、精亿、朗科、七彩虹等等（主要是杂牌使用的比较多）。
2、长鑫的内存颗粒的性能也不错，在稳定性方面还是可以的，许多低端品牌、杂牌使用长鑫颗粒说明国产内存颗粒拉低了内存的价格，对于我们普通消费者来说还是很友好的。

2. 中国除去长鑫有内存颗粒，还有哪家能生产颗粒？紫光生产内存条，他上面的颗粒是自己生产的吗？

合肥的长鑫，还有武汉的长江。

3. 中国能制造内存颗粒吗？

可以制造。其实中国自主的3D NAND闪存颗粒早已蓄势待发，最快将在2017年底推出，而且是32层堆栈的，起点不算低。


概述
内存条以及SSD的疯涨“得益于”原料产能不足，也就是NAND闪存颗粒的产能不足造成了现如今内存条与SSD的疯狂涨价。要知道在闪存领域，掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了闪存市场（包括内存条、SSD、储存卡等）。目前，全球范围内从事NAND闪存颗粒制造的厂商不计其数，但具有统治地位的就只有六家，他们分别是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、英特尔（intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）、闪迪（SanDisk），这六家从事NAND闪存颗粒制造的厂商几乎垄断了全球大部分闪存市场的份额。
国内市场
中国本土的闪存颗粒生产厂家如紫光科技、新芯科技等并没有上榜。
其实中国自主的3D NAND闪存颗粒早已蓄势待发，最快将在2017年底推出，而且是32层堆栈的，起点不算低。要知道，上述这六家厂商研发多年，推出的第一代3D闪存也不过是24层堆栈，就目前而言的闪存市场而言。32层堆栈的还算是主流。虽然到年底时这些世界一线大厂的48层甚至64层堆栈的3D闪存可能就会面世，但是中国厂商能推出32层堆栈的3D NAND闪存颗粒就是迈出了一大步。与国际一线大厂的差距是有，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。
当国产的3D NAND闪存颗粒成熟之后，势必会搅动整个闪存市场。闪存产品价格疯涨这一现象相信会得到抑制。这些都有将益于消费者。像笔者这样的消费者迫切希望这样的“搅局者”出现早点出现。

4. 电脑和手机内存生产厂家有哪些？有国产吗

内存颗粒暂时没国产的，主要是三星、镁光、海力士，所谓的国产内存，是买的这三家的内存颗粒，配的电路板而已

5. 国产的内存颗粒究竟行不行？

去年九月份合肥长鑫存储宣布自主研发的8GB DDR4芯片正式量产，6月1日，使用长鑫内存颗粒的光威弈PRO DDR4笔记本内存条正式开售，从晶元到封装存储一条龙全是国产制造。

而在最近，国产的固态硬盘、内存条纷纷开售，其中不仅仅有合肥长鑫的的颗粒，也有来自紫光的颗粒。紫光的内存条已经上架各大电商平台，通过了解，目前紫光DDR4 2400的内存颗粒全部来自于紫光，而DDR4 2600的颗粒还来自于海力士，后期会换成自家的。我们国内不仅要有自己的液晶面板厂商，未来还会有半导体代工巨头、内存闪存颗粒巨头，

6. 紫光内存3600是什么颗粒

英特尔颗粒

扩展资料：内存颗粒是内存条最核心的部件，是内存的储存介质可以直接关系到内存的性能。内存颗粒也叫内存芯片属于DRAM（动态随机存取存储器），一个芯片体内大概有数百万个电容器和晶体管。内存颗粒是内存条最核心的部件，是内存的储存介质可以直接关系到内存的性能。内存颗粒也叫内存芯片属于 DRAM（动态随机存取存储器），一个芯片体内大概有数百万个电容器和晶体管。晶圆，一般有 6 英寸、8 英寸及 12 英寸规格不等，晶片就是基于晶圆生产出来的。晶圆上一个小块，一个小块，就是晶片晶圆体，也名 Die，经过封装之后就成为一个闪存颗粒。

7. 请问一下我这内存条的生产厂家是哪一个？另外同规格内存条8banks和16banks性能上有差距吗？

这个是西安紫光的内存条
是紫光国芯自主颗粒的品牌内存条，性能品质中规中矩，这里你算是支持了国产
8banks和16banks就是内存颗粒数，16banks一般是双面颗粒的，兼容性略好一点，性能上没什么差异，平时用起来没什么差异。

8. 有人知道：紫光国芯 跟 长鑫存储是什么关系吗，懂内存的来？

西安紫光国芯一直专注于存储器领域，尤其是DRAM存储器的研发和技术积累。该公司在DRAM产品定义、设计、测试、量产和销售上建立了完整成熟的体系，累计二十余款芯片产品和四十余款模组产品，实现了全球的量产和销售。
 紫光内存已经上架两个系列三款型号，其中台式机内存单条容量4GB、8GB，笔记本内存单条容量4GB，均为无马甲普条，频率2400MHz，延迟时序17-17-17，电压1.2V。4GB DDR4 2400 台式机版本售价129元，8GB售价219元，笔记本4GB DDR4 2400售价129元。
       长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
      采用长鑫国产DDR4内存芯片/颗粒的光威弈PRO内存条现已在光威官网上架。这款光威弈PRO系列DDR4 3000台式机内存条采用了长鑫DDR4内存芯片，时序为16-18-18-38，有8G/16G两种容量版本。值得注意的是此前长鑫国产DDR4芯片/LPDDR4X芯片/内存模组也已经上线，官方也开通了销售资讯通道。