显卡的显存颗粒怎么看？

1. 显卡的显存颗粒怎么看？

显卡也可以看做是一个小型电脑，它有自己的核心（主机上就是cpu），所以也就有gpu一称，核心频率是它的主频。
集成显卡的优点是功耗低、发热量小，部分集成显卡的性能已经可以媲美入门级的独立显卡，所以很多喜欢自己动手组装计算机的人不用花费额外的资金来购买独立显卡，便能得到自己满意的性能。
集成显卡的缺点是性能相对略低，且固化在主板或CPU上，本身无法更换，如果必须换，就只能换主板。


集成显卡：
配置核芯显卡的CPU通常价格不高，同时低端核显难以胜任大型游戏。集成显卡是将显示芯片、显存及其相关电路都集成在主板上，与其融为一体的元件；集成显卡的显示芯片有单独的，但大部分都集成在主板的北桥芯片中。
一些主板集成的显卡也在主板上单独安装了显存，但其容量较小。集成显卡的显示效果与处理性能相对较弱，不能对显卡进行硬件升级，但可以通过CMOS调节频率或刷入新BIOS文件实现软件升级来挖掘显示芯片的潜能。

2. 怎么看内存条颗粒上参数看内存大小

怎么看内存条型号

3. 如何通过显卡上的颗粒判别显存实际大小

一、显存位宽的种类  显存位宽是显存在一个时钟周期内所能传送数  据的位数，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是显存的重要参数之一。目前市场上的显存位宽主要有64位、128位和256位三种，人们习惯上叫的64位显卡、128位显卡和256位显卡就是指其相应的显存位宽。一般来说，品牌显卡会在产品包装盒或显卡的PCB上标明显存位宽大小，而一些小厂商为了蒙骗用户，在显存位宽甚至不会做任何说明。显存位宽越大，性能越好，当然价格也就越高，因此256位宽的显存更多应用于高端显卡，而主流显卡基本都采用128位显存，目前市面上的大多数低端显卡都采用64位显存。  二、判别显存位宽的方法  提出显存位宽这个概念时，也许每个人都会想到同样一个问题，那就是我们如何判别显卡的显存位宽大小呢？我们知道，显卡的显存是由一块块的显存芯片构成的，显存总位宽同样也是由显存颗粒的位宽组成。按照这样一个公式可以知道：显存位宽＝显存颗粒位宽×显存颗粒数。显存颗粒上都带有相关厂家的内存编号，可以去网上查找其编号，就能了解其位宽，再乘以显存颗粒数，就能得到显卡的位宽，比如笔者的FX5200显卡采用的是8颗TSOP封装颗粒，其编号为HY5DV281622DT-36，查阅产品说明书得知显存颗粒位宽为16bit规格，那么我们可以知道该显卡的位宽应该是16bit×8=128bit。这是最为准确的计算方法，但该方法施行起来较为麻烦。  下面教大家一个较为简便的方法。众所周知，目前显存的封装形式主要有TSOP和BGA两种，一般情况下BGA封装的显存是32位/颗，而TSOP封装的颗粒是16位/颗。如果显卡采用了四颗BGA封装的显存，那么它的位宽是128位，而如果是八颗TSOP封装颗粒，那么位宽也是128位。如图2的显存采用了Hynix的-3.6ns的BGA封装颗粒，该显卡一共有8颗BGA封装颗粒，说明该显卡的位宽为256位。  而图3的显存则采用了TSOP封装的三星-4.0ns颗粒，该显卡一共有8颗TSOP封装颗粒，说明该显卡的位宽为128位。当然，这只是一般情况下的识别技巧，不一定符合所有的情况，要做到最为准确的判断，还是采用上面提到的计算公式比较准。  其实，我们也间接的从图2和图3的对比中了解到了TSOP封装与BGA封装的大致区别！  三、位宽决定带宽大小  无论显存怎么改变，出发点都是因为对带宽的不断渴求，显存带宽一直是显卡一个很难攻破的瓶径所在，显存位宽在另一个方面决定了显存带宽的性能，显存带宽是指图形芯片与显存之间一次可读入的数据传输量，它是决定显卡性能和速度的主要因素，其计算公式为：显存带宽＝工作频率×显存位宽/8。以Radeon 9600和Radeon 9600SE为例，二者的显存频率都为400MHZ，Radeon 9600的位宽为128Bit，其带宽就为400×128/8=6.4G/s，而Radeon 9600SE的位宽只有64Bit，其带宽也只有400×64/8=3.2G/s。  从这里我们很清楚的看到，显存位宽对显存的带宽起着举足轻重的作用，因为在相同频率下，64位显存的带宽只有128位显存的一半（理论上，相同频率下的64位显卡性能只有128位显卡的一半），当遇到大量像素渲染工作时，因为显存位宽的限制会造成显存带宽的不足，最直接的后果就是导致传输数据的拥塞，速度明显下降，这也就是为什么Radeon 9600SE的性能无法与Radeon 9600相提并论的原因，所以大家在选择显卡的时务必要关注显存位宽的大小。  四、透视显存位宽的成本  大家稍加注意就会发现，市场上相同型号的产品，有的采用了128BIT显存位宽，而有的显存位宽却只有64BIT，为什么会出现这样的情况呢？一般来说，名牌显卡制造商会按照显示芯片制造商的规定，采用符合规格的显存颗粒来生产显卡，但有的厂家为了赚取30～40元的差额，在制造显卡时不按照厂家的规定，偷工减料采用低于规定的显存颗粒制造显卡，并美其名曰“为了广大客户的利益降价出售”，这样的显卡成本低，售价也会相对低一些，但是性能下降的差距太明显，普通消费者不了解其中的内幕，一味选择所谓的“高性价比”产品，拿到偷工减料之作还以为占了厂商的便宜，没想到却中了商家的圈套，买到的产品往往是低价低性能的代表。  以NVIDIA的MX4000显卡为例，MX4000市场上有64BIT和128BIT的两个版本，但厂商还是主推64BIT的这个版本，原因很简单，MX4000可依托16Mb×16bit颗粒低廉的价格去生产，比如一片采用8颗4Mb×16bit显存颗粒，要生产一块64MB的MX4000显卡，它的显存价格成本在14.4美元左右(假如按单颗1.8美元计算)。而换成4颗16MB×16bit显存，显存容量翻番而达到了128MB，但成本却只增加了1.2美元。因此，鉴于成本的考虑，厂家可以用4颗16MX16bit的芯片生产出128M显存的MX4000，或者4颗8MX16bit的芯片生产64M显存的MX4000，但其显存位宽都只有64bit，对性能影响很大，同时以128MB甚至256MB的显存容量来作为其卖点。但如此一来，虽然可以提升显存容量，但对于性能会带来很大影响。  五、显存带宽在实际应用的表现  为了说明显存位宽起到重要作用，我们做了一个这样的对比测试，从测试数据表现来看，128bit显存的FX 5200和9600标准版，都分别大幅领先于显存位宽缩水的64bit显存FX 5200和9600SE。而虽然核心架构先进，但Radeon 9600 SE的DirectX 8性能仍然远低于Radeon 9200标准版，这更显得显存位宽的重要性。  我们还可以注意到，128bit显存的显卡性能并没有达到64bit显存的显卡的两倍，这是为什么呢？其实这里还要牵扯到另外一个位宽——系统总线位宽（Bus Width）的因素，因为无论显卡的显存位宽为多少，其系统总线位宽也只为32bit，也就是说无论显卡的内部是以何种速度在运行，它实际上都是连接在一条32bit的主干道上。因此128bit显存位宽的显卡性能也就没有像理论上那样达到64bit显存位宽显卡的两倍，但是基本上依然有30%以上的性能差距。所以在价钱允许的情况下，显存位宽当然是越高越好，选择一块高显存位宽的显卡也就成了必然的事了。

4. 显存颗粒是什么？

显存颗粒是显存的物理存储组成单元。显存颗粒的类型(DDR3或DDR4),单颗容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)直接影响显卡的性能。
参数关系可以简单的这样理解：
打个比方，火车由好多节独立的车厢组成，而每节车厢都有自己的定员（单颗容量），车厢都有自己的属性，比如它支持的极限速度（显存频率），在很多车厢组合在一起的时候，整列火车的极限速度就取决于最小的速度，而所能搭载的乘客就是所有车厢定员的总和。

5. 内存颗粒上的编号

DDR和SDR编号方式是不一样的 一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则 现代DDR2内存颗粒 HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。 1、HY：现代内存 2、5P：DDR2 3、S：工作电压1.8V 4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB 5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×32 6、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks 7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-2 8、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP 9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。 二、三星DDR2内存颗粒编号规则 三星DD2内存颗粒 K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。 1、 K4：Memory DRAM 2、T：DDR2 3、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量 4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×16 5、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks 6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V 7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推 8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small） 9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗 10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。 三、英飞凌DDR2内存颗粒编号规则 英飞凌DDR2内存颗粒 HYB18T512800AF37便是这颗英飞凌DDR2内存颗粒的编号，下面我们将其分成9部分一一给大家介绍其中的含义。 1、 HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀 2、18：工作电压为1.8V 3、T：DDR2 4、512：容量为512MB，如果是256则为256MB，1G则为1GB 5、80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×16 6、0：Standard product（标准产品） 7、A：封装版本 8、F：封装形式为FBGA 9、37：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是3则为DDR2 677 4-4-4。 四：南亚DDR2内存颗粒编号规则 南亚DDR2内存颗粒 NT5TU64M8AF-37B便是这颗南亚DDR2内存的编号 1、 NT：南亚科技 2、5T：DDR2 3、U：接口和电压为SSTL 1.8V 4、64M8：容量为512MB，其亦可为128M4、32M16，同理256MB容量为64M4、32M8、16M16 5、A：产品版本1st Version，B为2nd Version，CDE依此类推 6、F：封装类型84Ball BGA 7、37B：速度为DDR2 533 4-4-4，3B为DDR2 677 4-4-4。 五、美光DDR2内存编号规则 美光DDR2内存颗粒 美光DDR2内存颗粒编号看似简单，其实识别不简单。它分

6. 内存颗粒编号问题

分类:  电脑/网络 >> 硬件 
   问题描述: 
  
 请教下高手我的内存是威刚的DDR400万紫千红可是用软件CPU-Z看内存颗粒编号没有显示我在仔细一看出厂日期和序列好也全是空白上面就写了一个内存模块厂商的名字请教高手告诉我到底怎么看内存的真假
 
   解析: 
  
 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 
 
 颗粒编号解释如下： 
 
 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 
 
  
 
 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 
 
 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 
 
 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 
 
 5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 
 
 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 
 
 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 
 
 8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 
 
 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 
 
 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 
 
 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 
 
 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 
 
 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 
 
 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 
 
 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 
 
 常见SDRAM 编号识别 
 
 维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 
 
 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： 
 
 ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 
 
 ▲ MT Micron ------- 美光 
 
 ▲ GM LG-Semicon 
 
 ▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 
 
 ▲ HM Hitachi ------ 日立 
 
 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 
 
 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 
 
 ▲ KM Samsung ------ 三星 
 
 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 
 
 (2)内存芯片速度编号解释如下: 
 
  -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 
 
  –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. 
 
  –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 
 
  –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. 
 
  –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. 
 
 (3) 编 号 形 式 
 
 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 
 
 其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. 
 
 b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. 
 
 CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. 
 
 dd表示带宽。 
 
 f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. 
 
 g表示版本号，B—第三代。 
 
 h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 
 
 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. 
 
 jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 
 
 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 
 
 10—100MHZ(非PC100)。 
 
 例：1） HY57V651620B TC-75 
 
 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 
 
 2) HY57V653220B TC-7 
 
 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ 
 
 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)： 
 
 序号 品牌 国家/地区 标识 备注 
 
 1 三星 韩国 SAMSUNG 
 
 2 现代 韩国 HY 
 
 3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 
 
 4 迈克龙 美国 MT 
 
 5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 
 
 6 日电 日本 NEC 
 
 7 日立 日本 HITACHI 
 
 8 冲电气 日本 OKI 
 
 9 东芝 日本 TOSHIBA 
 
 10 富士通 日本 F 
 
 11 西门子 德国 SIEMENS 
 
 12 联华 台湾 UMC 
 
 13 南亚 台湾 NANYA 
 
 14 茂矽 台湾 MOSEI